主催: 日本表面科学会
東京大学
東京工業大学
物質・材料研究機構
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固体表面におけるHe+イオン散乱は非磁性体であってもHe+スピン依存性を持つことが知られ、表面原子核のスピン軌道相互作用(SOC)に由来すると言われているが、詳細は未だ明らかでない。本研究ではBi/Si(111)表面に対しスピン偏極イオン散乱(SP-ISS)を行い、スピン依存散乱を観測した。実験結果は、He+-Bi散乱過程において電荷移動型の仮想励起により強い有効SOCが誘起されることを示す。
表面科学講演大会講演要旨集
日本表面真空学会学術講演会要旨集
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