主催: 日本表面科学会
東大理
東工大理
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トポロジカル絶縁体の表面電子状態のステップ障壁による散乱現象はSTSや理論計算による報告は多いものの、実際にそれらがマクロな電気伝導にどのように寄与するかは明らかにはなっていない。我々は特定方向に多数のステップをもつ微斜面Bi2Se3(Bi2Te3)を作成し、正方4探針法でステップ垂直および平行方向の電気伝導度をそれぞれ測定した。異方性は4QL以上の膜厚ではほとんど無視できるがそれ以下の膜厚では異方性が最大で7倍程度となった。
表面科学講演大会講演要旨集
日本表面真空学会学術講演会要旨集
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