抄録
シリコン/ゲルマニウム(SiGe)化合物半導体デバイスは高周波デバイスとして大きく期待されている.その半導体プロセスにおいては,SiGeデバイスとSiデバイスは同一プロセスを用いてSiウェハー上に形成できるため,SiデバイスへのGe汚染が懸念される.したがって,Siウェハー表面の超微量Geの定量技術は必要不可欠である.そこで今回,前処理法としてHF蒸気分解の適用を試みた.回収率については,硝酸などの酸化剤を回収液に選定することで,ほぼ95%以上の回収率を得ることができた.一方,測定法においては,ウェハー分析の高感度化を図る上で,試料液を濃縮することが必要であるため,100μl程度の試料量で分析可能なマイクロコンセトリックネブライザー(MCN)-ICP-MSを適用した.本法での検出限界(空試験値の3σ)は0.5ml回収液濃度で13pg ml-1,6インチウェハーで3×108atoms cm-2であった.RSD(%)は5ng ml-1Ge標準溶液において3%以下であった.本検討により,高感度,高精度かつ迅速なSiウェハー表面の超微量Geの定量法を確立した.
