エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集
第20回エレクトロニクス実装学会講演大会
セッションID: 22A-07
会議情報

Ar高速原子ビームを用いた表面活性化法による常温接合のためのAu薄膜封止構造の検討
*岡田 浩尚伊藤 寿浩須賀 唯知
著者情報
会議録・要旨集 フリー

詳細
抄録

本論文では、Ar高速原子ビームを用いた表面活性化法による常温接合をMEMSパッケージングにおける封止に応用するため、Au薄膜を封止構造として用い、その適用可能性を検討することを目的とする。従来の封止接合技術は高温加熱プロセスにより適用範囲が限定されるため低温で信頼性のある封止接合技術が求められている。これまでの研究でSi/Si, Si/CMP-Cu常温真空封止接合が可能であることがわかっているが、これらの接合は高真空や、接合前の洗浄プロセスが必要であるためコストやスループットの点で問題がある。一方、Au薄膜は、これらの点では問題はない。しかしながら、一般的にスパッタされた金属薄膜は表面が粗く、接合時における表面の密着が難しいと考えられる。本報告では数十nm程度の薄い薄膜を封止構造として用い、膜厚、表面粗さ、荷重に対する接合強度の影響を調査する。

著者関連情報
© 2006 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
前の記事 次の記事
feedback
Top