エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集
第26回エレクトロニクス実装学術講演大会
セッションID: 7B-02
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第26回エレクトロニクス実装学術講演大会
Sn-Cu-Bi/Cu基板接合で形成する反応層の成長に及ぼすNi添加量の影響
*横田 智也黒川 一哉田中 順一
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キーワード: Sn-Cu-Bi, 鉛フリーはんだ, Ni
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抄録

貴金属の高騰により、はんだも低Ag化の材料開発が行われている。Agに代わる金属としてBiに着目し低コストSn-Cu-Bi合金を作製し実験を行った。この系の難点は、残留液相部にBi-rich相が形成し脆くなることや、接合界面でクラック伝播が進行し界面破壊を伴うことである。本研究では、これらを改善するために、Ni添加量の変化及び、冷却速度を変化させて接合実験を行った。その結果、冷却速度によってクラック伝播長さが変化すると共に、Ni添加量が0.05%以上でクラック長さが激減した。この結果、反応層の核成長による結晶粒微細化と相変態による準安定相の形成が起因していると予想された。

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© 2012 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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