主催: 社団法人エレクトロニクス実装学会
IC/LSIの電源供給回路の共振に起因するEMIおよび電源バウンスを低減する技術として、臨界制動抵抗挿入によるEMI低減法を提案する。本発表では、まず抵抗挿入位置をEMI低減、およびPI性能の観点から検討し、デカップリングインダクタと並列な位置に決定した。最適な抵抗値は臨界制動の条件より決定できる。また、提案手法を評価用基板に実装した汎用ロジックICの電源供給回路に適用しEMI低減効果を検証した。その結果、共振によって発生する電源系高周波電流のピークが抑制されることを示した。電源系高周波電流はEMIの原因であることから提案手法はEMI低減に効果がある。