電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)
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<電子物性・デバイス>
ポリマーゲート絶縁膜を用いた酸化物トランジスタの作製
藤原 宏平
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2019 年 139 巻 3 号 p. 207-210

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抄録

Development of field-effect transistors (FETs) using functional oxide films is currently an area of active research. To effectively modulate electrical conduction properties, the formation of oxide channel/gate insulator interface is critical. In this technical note, a gate insulator fabrication technique based on a poly(para-xylylene) coating method, some examples of FETs on new oxide materials, and potential applications to flexible oxide FETs are described.

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© 2019 電気学会
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