J-STAGE トップ  >  資料トップ  > 書誌事項

日本画像学会誌
Vol. 54 (2015) No. 2 p. 109-114

記事言語:

http://doi.org/10.11370/isj.54.109

原著論文

有機電界効果トランジスタ (OFET) の溶液プロセスにおける環境負荷低減のため,非ハロゲン系溶媒を用いて成膜した2,7-dioctyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene (C8-BTBT) を半導体層として有する塗布型トップゲートOFETの高性能化を検討した.熱架橋poly (4-vinylphenol) 層を塗布した基板を用いることで,非ハロゲン系溶媒のトルエン及びシクロヘキサノンを用いたOFETの素子特性の改善が可能であることが分かった.非ハロゲン系溶媒を用いてスピンコート法により作製したOFETにおいて,クロロベンゼンから作製した素子に匹敵する4cm2 V-1 s-1を超える移動度や優れたサブスレッショルド特性を達成した.

Copyright © 2015 一般社団法人 日本画像学会

この記事を共有