日本画像学会誌
Online ISSN : 1880-4675
Print ISSN : 1344-4425
原著論文
非ハロゲン系溶媒を用いたベンゾチエノベンゾチオフェン有機電界効果トランジスタの高性能化
中道 諒介木村 友永瀬 隆小林 隆史瀧宮 和男濱田 雅裕内藤 裕義
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54 巻 (2015) 2 号 p. 109-114

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抄録

有機電界効果トランジスタ (OFET) の溶液プロセスにおける環境負荷低減のため,非ハロゲン系溶媒を用いて成膜した2,7-dioctyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene (C8-BTBT) を半導体層として有する塗布型トップゲートOFETの高性能化を検討した.熱架橋poly (4-vinylphenol) 層を塗布した基板を用いることで,非ハロゲン系溶媒のトルエン及びシクロヘキサノンを用いたOFETの素子特性の改善が可能であることが分かった.非ハロゲン系溶媒を用いてスピンコート法により作製したOFETにおいて,クロロベンゼンから作製した素子に匹敵する4cm2 V-1 s-1を超える移動度や優れたサブスレッショルド特性を達成した.

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© 2015 一般社団法人 日本画像学会
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