日本画像学会誌
Online ISSN : 1880-4675
Print ISSN : 1344-4425
ISSN-L : 1344-4425
論文
塗布形成した三酸化モリブデン正孔注入層を用いたトップゲート有機電界効果トランジスタの移動度改善
饗庭 智也永瀬 隆小林 隆史貞光 雄一内藤 裕義
著者情報
ジャーナル フリー

2018 年 57 巻 5 号 p. 537-542

詳細
抄録

塗布成膜した三酸化モリブデン (MoO3) を正孔注入層として用い,2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (C8-BTBT) を半導体層とする塗布型トップゲート有機電界効果トランジスタ (OFET) の高移動度化を検討した.MoO3水溶液をAuソース·ドレイン電極を有するSi/SiO2基板上にスピンコートすることでC8-BTBT半導体層に対する正孔注入層を形成した.MoO3塗布注入層にUV/O3処理を施すことでトップゲートC8-BTBT FETの接触抵抗が0.4kΩcmまで低減され,チャネル長5μmの素子で最高で1.4cm2V-1s-1の高い実効移動度が得られることが分かった.得られた結果は,UV/O3処理したMoO3注入層がC8-BTBTの正孔ドープ層として働き,トップゲートC8-BTBT FETのアクセス抵抗成分を低減させることを示唆している.

著者関連情報
© 2018 一般社団法人 日本画像学会
前の記事 次の記事
feedback
Top