裏面照射マルチ電荷収集ゲート超高速撮像素子の設計と評価

抄録

1億枚／秒, 約30万画素で連続10枚撮影できるイメージセンサ（NanoSIS, Nano second image sensor）と5千万枚／秒（設計速度） 約1千画素で連続1220枚撮影でき, 撮影された画像信号を画素内で積算できるイメージセンサ（ISAS Image signal accumulation sensor）を開発した. これらの素子の評価に基づき, 設計の修正, 改良を進めている. 多くの改良課題と修正課題があるが, その中の2 点について紹介する NanoSIS については最大信号電荷量が設計値より低かった. ISAS については撮影速度が設計速度より低かった. これらの原因解明と改善, さらには大幅な性能改善に向けた検討を進めている．