ハイビジョン用サチコンにおける解像度の信号電荷蓄積時間への依存性

抄録

ハイビジョン用サチコンの解像度の決定要因を明らかにするために, 間欠走査時の解像度の変化を調べた結果, ターゲットの電子ビーム注入阻止層における信号電荷の横方向への広がりが, 新たな要因のひとつとして考えられることを見い出した.