抄録
DCマグネトロンスパッタリング装置(DCMS)および対向ターゲット式スパッタリング装置(FTS)を用いてArガス圧を変化させて作製したCr下地層をもつSmCo/Cr薄膜の結晶構造および磁気特性を比較、検討した。Arガス圧を減少することによってCr下地層のCr(110)からのX線回折強度を大きくできた。FTSで作製した薄膜の保磁力はArガス圧が0.27Paのときに最大になることがわかった。またFTSで作製した薄膜はDCMSで作製した薄膜よりも高飽和磁化、高保磁力であったが、角形比が低下することがわかった。
