抄録
六方晶フェライト薄膜の作製には500℃以上の高い基板温度を必要とするため、c軸配向性を有するフェライト粒子の微粒子化は困難であった。我々は六方晶フェライト薄膜を低温(250t)で堆積後に、高温(900℃)短時間(3〜5min)でアニール処理を行うフラッシュアニール処理を施すことで、20nm程度の極薄フェライト薄膜においても結晶化を実現させただけでなく、優れたc軸配向性を示し、微粒子化を実現することができた。また、六方晶フェライトの中でも非常に高い結晶磁気異方性を有するLaCo置換型Srフェライト薄膜を磁性層として採用した。フラッシュア二ールで作製したLaCo置換型Srフェライト/Pt超薄膜は4kOe以上の高い垂直保磁力を示し、面内粒径を20nm程度まで微細化することができた。LaCo-SrM層を、Pt層を介して多層化することで磁気特性はさらに改善され、5kOe以上の垂直保磁力と0.9以上の大角形比を達成し、垂直磁気記録媒体としての有望性を示すことができた。
