抄録
液晶ディスプレイやプロジェクタの高輝度化に伴い液晶素子の光劣化に対する耐光性が問題になる.本研究ではその中でも特に液晶の分子配列に注目し,異なる配列モード(ホモジニアス,TN,ホメオトロピック,ハイブリット)でセルを作製し,青紫レーザダイオードを集光照射し加速耐光試験を行った.また,電圧印加により耐光性がどのように変化するのかも併せて検討した.その結果,液晶素子の耐光性は同一液晶および配向膜材料を用いた場合にもセルの配列モードによって異なること,電圧印加によるバルク分子の影響をほとんど受けないことが明らかになった.
