抄録
ZnTeは室温でバンドギャップ2.26eVを有し，緑色LEDの高効率化に期待できる材料である．これまで，本研究室ではZnTeに注目し，低コスト化に有利なAl熱拡散法により良質なn型ZnTeを形成し，約500μmあるp型ZnTe基板自体を研磨やエッチングにより約4μm程度まで薄くし，Pd電極をパターニングすることで光をp型側から取り出すことにより，ZnTeの自己吸収効果を抑制した．本研究では，ZnTeの自己吸収効果を抑制する別の手法として，n型側の電極であるAl膜をウェットエッチングにより極薄膜化し，Al電極面から光を取り出すことで自己吸収効果の抑制を試みた.
