抄録
遊離Siを含むSiC反応焼結体2個の間げきにGeの粉末を入れ, 真空中, 1180℃で10分間保持することにより, Si-Ge固溶体の接合層を持つ接合体を得た. 接合層の厚さを薄いもの (約20μm) と厚いもの (約200μm) の2種類に調節し, その高温4点曲げ強度を真空中で測定した. 接合体の強度には正の温度依存性があり, 接合層の薄いものの強度は, Geの融点を越える1050℃でも約40kg/mm2を示した. 接合層のEPMA分析の結果からは, 接合層の厚いものについてはかなりのGeの濃度分布が見られたが, 接合層の薄いものにおいては, 比較的均一な固溶体の組成を示し, その液相生成温度が約1200℃に相当するものであることが分った.
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