日本結晶学会誌
Online ISSN : 1884-5576
Print ISSN : 0369-4585
総合報告
不均一アモルファス一酸化シリコン(SiO)構造の精密構造解析
平田 秋彦小原 真司今井 英人陳 明偉
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59 巻 (2017) 4 号 p. 159-165

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抄録

We present an approach for constructing a realistic structure model of inhomogeneous amorphous materials by combining angstrom-beam electron diffraction, synchrotron X-ray scattering, and simulation techniques. Local structure information obtainable by angstrom-beam electron diffraction is effective to choose a probable model from some possible models that satisfy a structure factor of X-ray scattering. We applied this approach to amorphous SiO and successfully constructed a realistic model including nanoscale Si and SiO2-like regions together with abundant interfacial Si suboxides.

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© 2017 日本結晶学会
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