日本結晶学会誌
Online ISSN : 1884-5576
Print ISSN : 0369-4585
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7. アトムクラフト
青野 正和小林 中内田 裕久根城 均野村 英一
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1991 年 33 巻 3 号 p. 158-168

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抄録

We have recently made nanometer-scale structure fabrication using field evaporation in the scanning tunneling microscope (STM) for a Si (111) sample with a W tip by changing the polarity, magnitude and duration of the voltage applied to the tip. A theoretical framework that can interpret/predict the experimental results and similar results reported so far is discussed.

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