日本結晶学会誌
Online ISSN : 1884-5576
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8. 原子層エッチング
青柳 克信目黒 多加志
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1991 年 33 巻 3 号 p. 169-174

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抄録

Concept of atomic layer etching is described. Experimental results on the atomic layer con-trolled etching are reported. Under alternative supply of Cl2, the etching rate saturates at 1/3 mono-layer/cycle as a function of Cl gas feeding rate. By using Cl radical, the etching rate saturates at one atomic layer/cycle as a function of Cl gas feeding rate under a proper etching condition.

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© 日本結晶学会
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