低温工学
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訂正
Vol.38 No.11 pp.636~637の訂正記事
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2003 年 38 巻 12 号 p. 720

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抄録

低温工学38巻11号掲載の毛利 存氏らの研究論文「スパッタリングによるMgB2薄膜の制作と2段階アニーリング効果」(pp.635-636) について訂正してお詫びいたします.
(誤)p.636 Fig.1
p.636 左段上25行 「組成ずれにより」
p.637 右段上1〜2行 「と共に上昇しており, それ以上の時間では、ほぼ一定化をFig.4に示す. Tcは, 120分まではアニール時間」
p.637 右段下1行 「本妍究」
(正)p.636 Fig.1
p.636 左段上25行 「組成ずれによる」
p.637 右段上1〜2行 (1行目, 2行目を入れ替え) 「化をFig.4に示す. Tcは, 120分まではアニール時間と共に上昇しており, それ以上の時間では、ほぼ一定」
p.637 右段下1行 「本研究」

© 2003 公益社団法人 低温工学・超電導学会 (旧 社団法人 低温工学協会)
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