Reliability Evaluation of Failure Diagnosis for I-V Curve Obtained by Advanced Technique

抄録

我々は，第１象限と第４象限において，I-V カーブを従来よりも正確に取得する進んだ技術を提案している。本研究では，様々な劣化状態にあるモジュールのI-V カーブを評価するにあたり，日射強度依存性を調べることに重きをおいた。I-V カーブは，様々な日射強度で得られた第１象限と第４象限で掃引されたものである。そこで，太陽電池セルの等価回路における４定数，つまり直列抵抗（R_s），分路抵抗（R_sh），ダイオード因子（n），飽和電流（A）を分析した。様々な日射強度でR_s値が求まり，同じ型式のモジュールでは，それぞれの値が安定していた。R_sはストリングにおけるモジュールの劣化，断線の検出に用いられる可能性がある。同様に，R_sh，n，A も診断の指標に用いられることが期待できる。診断の指標として４定数が用いられる実用性を探るため，様々な日射強度に対する４定数の値を調べた。