ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動評価手法

抄録

実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動を，ドリフト拡散デバイスシミュレーションにより評価する手法を検討した。応力効果をデバイスシミュレーション上で取り扱うための電子移動度モデルを検討し，実験結果との比較からその妥当性を検証した。この移動度モデルでは，応力によるSi伝導帯エネルギ変化，および伝導帯エネルギ変化によって引き起こされる電子存在確率と散乱確率の変化を考慮した。このシミュレーション手法を用いて，QFP樹脂封止にともなう nMOSFET のDC特性変動を評価した。その結果，実験で得られたドレイン電流の変動，しきい値電圧の挙動および相互コンダクタンスの変動を再現することができた。