化学的ウエットエッチングによる樹脂フィルム上へのSrTiO₃薄膜容量形成プロセス技術

抄録

低コスト化の観点より，STO（SrTiO₃）薄膜容量の形成が可能な基板材料，電極構成，パターン加工プロセス技術の検討ならびに試作したSTO薄膜容量の高周波特性の評価を行った。その結果，（1）ポリイミドおよびガラスエポキシ樹脂へのSTO薄膜容量の形成が可能である，（2）Ru/STO/Cr–Cu 3層膜構成が有望である，（3）全化学エッチング技術によるSTO薄膜容量（膜厚300 nm）の一括パターン加工形成が可能であることを明らかにした。また，試作したSTO薄膜容量が，容量値10 pF，比誘電率17および容量密度500 pF/mm²で，10 GHzまで平坦な周波数特性を示すことを確認した。