エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
研究論文・速報論文
化学的ウエットエッチングによる樹脂フィルム上へのSrTiO3薄膜容量形成プロセス技術
山田 宏治岡部 寛山下 喜市
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2009 年 12 巻 6 号 p. 511-518

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抄録

低コスト化の観点より,STO(SrTiO3)薄膜容量の形成が可能な基板材料,電極構成,パターン加工プロセス技術の検討ならびに試作したSTO薄膜容量の高周波特性の評価を行った。その結果,(1)ポリイミドおよびガラスエポキシ樹脂へのSTO薄膜容量の形成が可能である,(2)Ru/STO/Cr–Cu 3層膜構成が有望である,(3)全化学エッチング技術によるSTO薄膜容量(膜厚300 nm)の一括パターン加工形成が可能であることを明らかにした。また,試作したSTO薄膜容量が,容量値10 pF,比誘電率17および容量密度500 pF/mm2で,10 GHzまで平坦な周波数特性を示すことを確認した。

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© 2009 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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