エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
研究論文・総合論文
Sn–Cuめっきリードの室温におけるウィスカ発生・抑制機構
加藤 隆彦赤星 晴夫中村 真人寺崎 健岩崎 富生橋本 知明西村 朝雄
著者情報
ジャーナル フリー

2010 年 13 巻 2 号 p. 145-155

詳細
抄録

ICパッケージリードのウィスカ発生防止技術の開発を目的に,適切なリードフレーム(以下フレーム)材料の選定を実施し,室温で長期間保持しても,錫–銅(Sn–Cu)めっき膜から全くウィスカの発生しない銅(Cu)フレーム材料が存在することを突き止めた。また,同じ条件で作製したSn–Cuめっき膜からのウィスカ発生挙動が著しく異なる2種類の市販Cuフレーム材料を対象に,電子顕微鏡法・後方散乱電子回折像測定による微細組織解析,X線回折によるめっき膜応力実測,有限要素法および分子動力学を用いた計算など,材料科学的な種々の手法を駆使し,ウィスカ発生有無–リード微細組織–めっき膜の内部応力–Sn拡散挙動の相関を明らかにした。本論文は,以上の結果に新しいデータと考察を加え,ウィスカの発生・抑制機構を総合的に解明した。

著者関連情報
© 2010 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
前の記事 次の記事
feedback
Top