エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
ISSN-L : 1343-9677
研究論文・総合論文
銅ナノ粒子および銀–銅混合ナノ粒子を用いた低温接合プロセス
中許 昌美長岡 亨森貞 好昭福角 真男柏木 行康山本 真理
著者情報
ジャーナル フリー

2010 年 13 巻 7 号 p. 536-542

詳細
抄録

高強度と耐イオンマイグレーション性を有する銅–銅接合を得るために,3種類の銅ナノ粒子(平均粒子径:d=7.2 nm, 64.8 nm, 498 nm)および銀–銅混合ナノ粒子を用いた低温接合プロセス(250℃~400℃)を検討した。銅ナノ粒子を用いた接合では,平均粒子径64.8 nmの銅ナノ粒子を用いた場合に最も高い強度を示した。銅ナノ粒子(d=498 nm)と銀ナノ粒子(d=7.9 nm)の銀–銅混合ナノ粒子の場合には,50%Ag–50%Cuの配合比において最も高い接合強度が得られた。50%Ag–50%Cu混合ナノ粒子を用いた焼成電極は,銀ナノ粒子の焼成電極よりも優れた耐イオンマイグレーション性を示した。

著者関連情報
© 2010 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
前の記事 次の記事
feedback
Top