エレクトロニクス実装学会誌
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総合論文
半導体パッケージ基板用無電解Ni/Pd/Auめっき技術(第2報)~Auワイヤボンディング強度に及ぼすAuめっき皮膜構成の影響~
江尻 芳則櫻井 健久荒山 貴慎鈴木 邦司坪松 良明赤井 邦彦中川 昌之山村 泰三廣山 幸久長谷川 清
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2014 年 17 巻 4 号 p. 297-306

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抄録

無電解Ni/Auはワイヤホンディング前の熱処理でAuワイヤボンディング強度が低下するが,無電解Ni/Pd/Auと電解Ni/Auは優れたAuワイヤボンディング強度を得られる。この理由を解明するため,無電解および電解めっきを組合せた9種類の構成のAuめっき皮膜を作製し,ワイヤボンディング強度を調べた。さらに,Auめっき皮膜の表面,断面,結晶粒の大きさと下地金属の拡散挙動を,SEM,FIB/SIM,EBSP,XPSにより評価した。Auめっき皮膜はエピタキシャル成長し,大きく成長したAu結晶粒は粒界を減少させて下地金属の粒界拡散を抑制し,良好なAuワイヤボンディング強度をもたらしていることが分かった。

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© 2014 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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