エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
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ISSN-L : 1343-9677
研究論文
CFDシミュレーション熱モデルと実測の合わせ込みによるMOSFETのBody-DiodeとSaturate モードでの実測差異解析
羅 亜非梶田 欣畠山 友行中川 慎二石塚 勝
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2015 年 18 巻 3 号 p. 161-166

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抄録

パワーMOSFETパッケージの熱流束分布はダイの発熱エリアに大きく影響される。異なる動作条件での温度特性が違うため,発熱分布も異なる。その結果,飽和領域(Vth < Vgs < Vth+Vds)とBody-Diodeモードで測定した熱抵抗値に差が見られる。本論文は,市販のパワーMOSFETを用いて過渡熱測定を行い,CFDシミュレーションの熱モデル合わせこみ技術を使用してこの現象を解析する。

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© 2015 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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