エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
研究論文
無電解銅めっき形成のためのパラジウム触媒含有ポリシルセスキオキサン薄膜の作製
手嶋 彩由里村橋 浩一郎大塚 邦顕御田村 紘志渡瀬 星児松川 公洋
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2015 年 18 巻 7 号 p. 479-485

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抄録

ポリシルセスキオキサン(PSQ)は,有機官能基を適切に選択することで,金属ナノ粒子をPSQ薄膜中に固定化することができるが,金属イオンを還元する還元剤および生成したナノ粒子の凝集を防ぎナノサイズの粒子を保持するための保護基が必要である。金属ナノ粒子をPSQ薄膜表面に析出させることで比較的容易にガラス基板表面の機能化を図ることができる。
本研究では,無電解めっき触媒として作用するパラジウムナノ粒子を含んだPSQ薄膜の調製を目的として,還元基と保護基を有するトリアルコキシシランを用いて3元系PSQの作製を検討した。パラジウムナノ粒子含有PSQ薄膜上に無電解銅めっきが形成できることを確認し,密着性の向上についても研究した。

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© 2015 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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