Cu充填Al陽極酸化膜を用いた高密度3次元実装技術の開発

抄録

高密度3次元実装に向けて，SOV (Sea Of Via)という設計コンセプトと，Cu充填Al陽極酸化膜(Cu-AAO)という材料を組み合わせたインターポーザーを開発している。Cu-AAOは，無数の微細Cu貫通導体が整列配置した構造を有する基材であり，自由な形状の垂直伝送路を，任意の位置に形成することができる。本研究では，その特徴を利用し，Cu-AAOをコア基板に適用することで，狭ピッチでかつ同軸構造の垂直伝送路を持つインターポーザーを作製した。そしてその両面にTEG (Test Element Group)チップを実装し，垂直伝送路を介して，チップ間を3次元的に最短距離で接続できることを示した。