エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
研究論文
Cu充填Al陽極酸化膜を用いた高密度3次元実装技術の開発
深澤 亮山下 広祐山崎 智生堀田 吉則堀内 道夫
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キーワード: 3-D Packaging, Interposer, SOV, Cu-AAO
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2015 年 18 巻 7 号 p. 503-510

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抄録

高密度3次元実装に向けて,SOV (Sea Of Via)という設計コンセプトと,Cu充填Al陽極酸化膜(Cu-AAO)という材料を組み合わせたインターポーザーを開発している。Cu-AAOは,無数の微細Cu貫通導体が整列配置した構造を有する基材であり,自由な形状の垂直伝送路を,任意の位置に形成することができる。本研究では,その特徴を利用し,Cu-AAOをコア基板に適用することで,狭ピッチでかつ同軸構造の垂直伝送路を持つインターポーザーを作製した。そしてその両面にTEG (Test Element Group)チップを実装し,垂直伝送路を介して,チップ間を3次元的に最短距離で接続できることを示した。

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© 2015 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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