2015 年 18 巻 7 号 p. 503-510
高密度3次元実装に向けて,SOV (Sea Of Via)という設計コンセプトと,Cu充填Al陽極酸化膜(Cu-AAO)という材料を組み合わせたインターポーザーを開発している。Cu-AAOは,無数の微細Cu貫通導体が整列配置した構造を有する基材であり,自由な形状の垂直伝送路を,任意の位置に形成することができる。本研究では,その特徴を利用し,Cu-AAOをコア基板に適用することで,狭ピッチでかつ同軸構造の垂直伝送路を持つインターポーザーを作製した。そしてその両面にTEG (Test Element Group)チップを実装し,垂直伝送路を介して,チップ間を3次元的に最短距離で接続できることを示した。