樹脂埋め込み型フェイスアップ高周波MCM

抄録

ベース基板上に搭載されたMMIC等のチップを樹脂で埋め込み, その上に配線層を形成するフェースアップ型高周波MCMの基本構造を提案する。本構造は, (1) 100μmを超える厚膜樹脂の一回塗布, (2) バンプ電極によるチップ間厚さ偏差吸収, (3) 一括研削による埋め込み層樹脂・バンプ平坦化が特徴であり, 併せてチップ封止も実現できる。GaAsMMIC6チップのPHS端末高周波McMとSi-MosFET2チップのセルラ端末用電力増幅器モジュールを試作し, 実装プロセスのフィージビリティおよび高周波動作を確認する。モジュール寸法は前者が10mm×8mm, 後者が9mm×7mmで, 厚さは共に0.7mmである。電力増幅器モジュールの性能として, 1.75GHzで出力電力28.5dBm (0.7W) , 電力付加効率16%が示される。