エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
電解めっきを用いたULSI多層Ag配線
江澤 弘和宮田 雅弘辻村 学井上 裕章
著者情報
ジャーナル フリー

2002 年 5 巻 3 号 p. 241-245

詳細
抄録

下地バリアメタル層上に給電層となるCuを成膜したTi/TiN/Cu積層膜上に, シアン系めっき液によるパルス電解Agめっき成膜を行い, 比抵抗が2.0μΩ2cm以下のAg膜を得た。膜中不純物量が少なく比抵抗の低いAg膜では, 350℃の熱処理により2μm程度まで結晶粒が粗大化した。Ag膜の結晶配向性は下地TiN/Cu膜の結晶配向性に依存し, 熱処理により (111) 優先配向が強くなった。熱処理時に局所的な膜はがれが発生した。Agめっき初期のCu溶出によりCu/Ag界面に空隙が生まれ, この空隙に残った水分が熱処理時に多量に放出されたことが膜はがれの発生要因と考えられる。界面の密着性向上のためには電気化学的に貴な給電層が望ましい。最後に, LSI多層配線上層のグローバル配線を想定したAgダマシン配線を試作した。

著者関連情報
© 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
前の記事 次の記事
feedback
Top