エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
フリップチップ実装を目的としたスルホコハク酸浴からのスズーインジウム共晶合金の電析
縄舟 秀美中谷 敏雄赤松 謙祐水本 省三小幡 恵吾内田 衛
著者情報
ジャーナル フリー

2002 年 5 巻 4 号 p. 349-352

詳細
抄録

スズーインジウム共晶合金めっきは, 融点が低く, 優れた耐熱疲労性を有していることからLSI素子のフリップチップ実装への適用が期待される。2, 2'-ジチオジアニリン, ポリオキシエチレン-α-ナフトールおよびポリエチレングリコール1000を添加剤とするスルホコハク酸浴 (浴温25℃) から, 電流密度0.5~3.0A/dm2において, 共晶組成を有するスズーインジウム合金皮膜が得られた。これらの添加剤の併用添加により, スズの優先析出が抑制された。スズーインジウム共晶合金皮膜は, β-スズ相とインジウム相, InSn4相およびIn3Sn相からなり, その融点は117℃であった。

著者関連情報
© 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
前の記事 次の記事
feedback
Top