フリップチップ実装を目的としたスルホコハク酸浴からのスズーインジウム共晶合金の電析

抄録

スズーインジウム共晶合金めっきは, 融点が低く, 優れた耐熱疲労性を有していることからLSI素子のフリップチップ実装への適用が期待される。2, 2'-ジチオジアニリン, ポリオキシエチレン-α-ナフトールおよびポリエチレングリコール1000を添加剤とするスルホコハク酸浴 (浴温25℃) から, 電流密度0.5～3.0A/dm²において, 共晶組成を有するスズーインジウム合金皮膜が得られた。これらの添加剤の併用添加により, スズの優先析出が抑制された。スズーインジウム共晶合金皮膜は, β-スズ相とインジウム相, InSn₄相およびIn₃Sn相からなり, その融点は117℃であった。