エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
ISSN-L : 1343-9677
無電解NiPめっき膜中におけるリンの分布状態
田代 雄彦山本 誠二石川 薫中里 純一本間 英夫
著者情報
ジャーナル フリー

2002 年 5 巻 4 号 p. 359-365

詳細
抄録

一般的に, 無電解ニッケルめっき膜のはんだ濡れ性やボンディング性は, ニッケルめっき膜中のリン含有率に大きな影響を受ける。本報ではめっき初期および後続の定常期における無電解ニッケルめっき膜のリン偏析と濃度について報告する。EPMA, GDOESおよびAES測定の結果から, 初期におけるめっき膜中のリン含有率は, 後続の定常期のめっき膜より高い値を示すことがわかった。無電解NiPめっき膜の最表面には, リンリッチ層が形成されていることを確認した。また, 約20-40nmのリンリッチ層は, めっき初期に生じ, この層は常に析出反応の進行に伴って, めっき表面の上部に留まることを確認した。

著者関連情報
© 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
前の記事 次の記事
feedback
Top