Siマイクロマシニング技術を応用したLSI検査プローブ

抄録

Siマイクロマシニング技術を応用したLSI検査用の新プロービングシステムを開発した。異方性エッチング技術によりSiで80μm幅の梁の上に高さ20μmのプローブ突起を構成した。複数のプローブ突起はSiウエハ上に85μmのピッチで形成し, この上に銅とニッケル薄膜を形成して導通を得た。このプロービングシステムの初期評価の結果, 2000回以上のコンタクト寿命とDRAMのファンクション試験で100MHzの動作を実証した。