エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
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ウエハレベルCSP技術による銅配線, 絶縁層を利用した低損失インダクタの実現
青木 由隆上 芳夫本城 和彦
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2004 年 7 巻 3 号 p. 247-254

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抄録

ウエハレベルCSPの銅配線技術, 絶縁層形成技術を応用した低損失で高Qなマイクロ波スパイラルインダクタをシリコン基板上に形成した。これにより小型インダクタの内蔵化が可能となった。インダクタの設計サイズ, 巻き数, ポリイミド絶縁層の厚さ, シリコン基板の抵抗率を変化させた場合のインダクタの高周波特性を実験, 等価回路モデル, シミュレーション技術を用いて検証した。その結果シリコン基板上にインダクタンス値2-5nH程度, Q値約20 (3.9GHz) の低損失インダクタを実現した。

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© 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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