エレクトロニクス実装学会誌
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薄膜ドライフィルムレジストを利用した高密度ビルドアップ基板エッチングプロセス解析
乃万 裕一中西 徹
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2004 年 7 巻 7 号 p. 599-606

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抄録

ビルドァップ基板における低価格と高密度の両立を目指し, 薄膜ドライフィルムレジストを用いたサブトラクティブ法による微細配線の形成を, 実験と理論計算の両面から検討した。厚さ15μm, 10μmのレジストを用いた場合について, ライン幅/スペース幅が30/50, 27/43μm (銅厚20μm, アンカー深さ2.8μm) の配線の量産可能性を確認した。エッチング液が配線に沿った方向へ流れる場合について, 配線の形状を理論計算で求めた。理論計算から, 銅厚20μm, アンカー深さ2.8μm, レジスト厚15μmの場合において, 形成可能な最小ピッチを, 銅厚, レジスト幅, エッチング速度のばらつきの1次関数で近似した。

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© 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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