日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
Si基板方位によるBPエピタキシャル成長層の変化
水谷 隆, 西永 頌, 内山 普
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1975 年 2 巻 2 号 p. 51-

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© 1975 日本結晶成長学会
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