日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
半導体表面反応の分子シミュレーション : バーチャルマイクロスコープの開発と応用 : バルク成長シンポジウム
高田 俊和
著者情報
ジャーナル フリー

1998 年 25 巻 3 号 p. A18-

詳細
抄録

Molecular simulations based on the molecular orbital theory became useful to study the mechanism of surface reactions of simi-conductor. In this presentation, results of the molecular orbital calculations on Ti plasma enhanced CVD are reported and also, as a future image of such molecular simulations, a new system named virtual microscope is introduced.

著者関連情報
© 1998 日本結晶成長学会
前の記事 次の記事
feedback
Top