静大工
静大電子研
1998 年 25 巻 3 号 p. A22-
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We investigated the atomic layer growth of CdTe and ZnTe by Hot-wall epitaxy. Resuled growth rate shows the existence of plateau of 0.5 monolayer/cycle in the substrate temperature range between 260 and 320℃ for CdTe, between 240 and 280℃ for ZnTe.
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