日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
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MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
大西 由真伊藤 洋平ネルソン大鉢 忠
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2002 年 29 巻 2 号 p. 25-

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抄録

We grew Si-doped GaAs on GaAs (111)A substrates by molecular beam epitaxy (MBE) with and without growth interruption . Their electric and optical properties were then studied. The amount of acceptor Si that incorporated into GaAs(111)A layer increased by the interruption growth.

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© 2002 日本結晶成長学会
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