日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
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Erをドープした発光するSi薄膜のME-CAICISSによる結晶構造解析 : エピキタシャル成長IV
曾根 逸人小林 峰小室 修二青野 正和
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2002 年 29 巻 2 号 p. 42-

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抄録

Er-doped light-emitting Si films grown by solid phase epitaxy have been evaluated by time-resolved photoluminescence (TRPL) and medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy (ME-CAICISS). It was found that the light emission characteristics correspond to the crystal structure of the films, which were grown on Si(111) substrate and Si(001) substrate.

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© 2002 日本結晶成長学会
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