日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
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半導体シリコン結晶表面における塩化水素の化学反応機構(半導体薄膜・表面)
羽深 等鈴木 孝啓山本 直中村 彰夫竹内 隆相原 雅彦
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2003 年 30 巻 3 号 p. 13-

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抄録

In order to clarify the entire chemical process in silicon-chlorine-hydrogen system on silicon surface, this study evaluates the chemical reaction rate of hydrogen chloride to etch silicon surface, especially at very high concentration of hydrogen chloride gas.

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© 2003 日本結晶成長学会
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