日本結晶成長学会誌
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01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
佐藤 史和田邉 匡生小山 裕木村 智之須藤 建西澤 潤一
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2006 年 33 巻 4 号 p. 177-

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抄録

GaSe bulk crystal was grown by liquid phase temperature difference method. The crystalline structure and its optical properties were investigated by XRD and near-infrared spectroscopy, respectively. It is shown that the present grown GaSe has ε-polytype with polycrystalline phase.

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© 2006 日本結晶成長学会
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