日本結晶成長学会誌
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01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
干川 岳志太子 敏則黄 新明宇田 聡
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2006 年 33 巻 4 号 p. 179-

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抄録

The effective segregation coefficient of Ge, Ga and B in plurally doped CZ-Si growth has been investigated. It was found that effective segregation coefficient of Ge and B was about 0.52 and 0.70 respectively in heavily B and Ge codoped Si crystal with an average growth rate of 1mm/min.

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© 2006 日本結晶成長学会
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