日本結晶成長学会誌
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01aA07 Na系フラックスを用いたGaN単結晶育成における準安定領域の調査(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
森下 昌紀下條 亮平川原 実川村 史朗吉村 政志森 勇介佐々木 孝友
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2006 年 33 巻 4 号 p. 183-

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抄録

In the LPE growth of GaN single crystals using Na-based flux, frequent nucleation generated on the crucible is the most important problem. In this study, we investigated the metastable zone in which the nucleation does not occur except on the seed crystal.

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© 2006 日本結晶成長学会
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