日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
佐藤 史隆山根 貴好秋山 和博村上 尚熊谷 義直纐纈 明伯
著者情報
ジャーナル フリー

2006 年 33 巻 4 号 p. 187-

詳細
抄録

Growth of AlGaN ternary alloy using AlCl_3 and GaCl gases as group III precursors was performed by hydride vapor phase epitaxy. C-axis-oriented AlGaN layers could be grown at 1100℃. We found that the solid composition x in Al_xGa_1 _xN ternary alloy could be controlled by changing the input Al mole ratio of the group III precursor (R_<Al>) and/or the low range (<10%) of partial pressure of hydrogen (H_2) in the carrier gas (F°).

著者関連情報
© 2006 日本結晶成長学会
前の記事 次の記事
feedback
Top