日本結晶成長学会誌
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01aA13 Ga_2O_3の熱炭素還元窒化による高温でのGaN結晶成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
三浦 章嶋田 志郎関口 隆史
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2006 年 33 巻 4 号 p. 189-

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抄録

GaN crystals were grown at 1200℃ by vapor phase reaction of NH_3 and Ga_2O, produced by carbothermal reduction of Ga_2O_3 powder. In 2h growth, the slow Ga_2O flow rate (7-14 μmol/min^<-1>) gave millimeter-sized hexagonal prism wurtzite-type GaN crystals, while the high rate (21 μmol/min^<-1>) formed the needle crystals.

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© 2006 日本結晶成長学会
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