日本結晶成長学会誌
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01aB04 MBE法による窒化β-Ga_2O_3基板上への六方晶GaN成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
南 礼史高橋 功次荒木 努鈴木 悟仁大平 重男名西 〓之
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2006 年 33 巻 4 号 p. 200-

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抄録

β-Ga_2O_3 single crystal is a good candidate for GaN epitaxial growth due to transparency, electrical conductivity and high melting point. Previously, we succeeded epitaxial growth of cubic GaN on (100) β-Ga_2O_3 by RF-MBE through prior exposure of the substrate to ECR nitrogen plasma to form a surficial nitridated (001) cubic GaN layer. In this paper, we report on the MBE growth of hexagonal GaN films on the nitridated β-Ga_2O_3 substrates by ECR nitrogen plasma.

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© 2006 日本結晶成長学会
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